馬斯克（Elon Musk）今日（15日）在X平台發文，指中國將於2028年大量生產記憶體（China will be making a LOT of RAM in 2028）。其言論與中國長鑫存儲（CXMT）近日公布的新一代DRAM技術進展相互呼應，令市場再度擔憂，韓國三星電子及SK海力士在傳統DRAM的價格優勢，可能在2028至2029年受到中國新增產能衝擊。
馬斯克較早在10月12日已於X發文稱，中國一旦掌握某項產品的製造技術，其擴大產能的能力「往往超過世界其他地區總和」，並以鋰電池及太陽能作例子。他認為，記憶體過去約三年前仍是低毛利的標準化商品，他補充說，這意味著CXMT技術的收益可能會減少。但LPDDR5及LPDDR6亦採用共同規格，中國似乎正快速掌握相關技術，因此RAM可能是下一個面對中國大規模量產競爭的產業。
不過，馬斯克同時留有空間。他指新一代高頻寬記憶體（HBM）、邏輯晶片下方配置SRAM，以及在邏輯晶片上方進行3D記憶體堆疊並解決散熱問題，技術門檻明顯較高。換言之，其警告主要針對標準化程度較高的傳統DRAM及流動記憶體，而非直接斷言韓國廠商在AI記憶體領域會即時失去優勢。
CXMT技術進展成催化劑
市場憂慮升溫，與長鑫存儲的技術公布有直接關係。CXMT總裁曹堪宇早前曾介紹4F² DRAM架構，並計劃於2026年底推出採用該技術的DDR5 Registered DIMM（RDIMM）。4F²架構透過垂直排列記憶體單元元件，有助縮小晶片面積及提升效能。
韓國媒體專欄提出，隨著新增產能陸續投產，全球記憶體市場可能在2029年出現供過於求。 這與目前市場的短缺格局形成強烈反差：摩根大通預測，全球記憶體供應缺口今年約為20%，2027年為19%，2028年仍有15%；該行並預計，受AI需求帶動的HBM市場，將由今年約640億美元增至2028年約2,800億美元。
若AI伺服器、智能手機及個人電腦的記憶體需求增長放緩，而中國與韓國廠商同步擴產，供應缺口便可能較預期更快收窄。屆時，價格下跌將首先衝擊標準DRAM的毛利，HBM因技術壁壘及AI需求結構不同，所受影響或相對較小，但亦未必完全免疫。
韓國雙雄的護城河
三星及SK海力士目前仍是全球記憶體市場的核心供應商，尤其在HBM領域具備較明顯優勢。分析師指出，CXMT尚未證明具備大規模量產能力，市佔率亦落後於三星及SK海力士，因此近日韓國記憶體股的急跌，未必完全反映眼前的實際競爭壓力。
