較早前,南韓警方拘捕三星電子一名前高層,涉嫌盜取該公司機密資料,企圖在中國設立「山寨版」三星電子半導體工廠。《路透》獲得一份長達18頁、未公開的起訴書,當中指控該名男子在2018年與台灣鴻海科技集團簽約,協助鴻海在西安興建晶片廠,該男子透過人脈關係竊取三星電子的機密資料,導致三星電子損失超過2億美元(約16億港元)。
起訴書未有披露男子的姓名,但南韓媒體報導指這人就是SK海力士前副社長崔珍奭。他自五月底以來一直被關押在獄中,但他否認所有指控。
指控竊無塵室技術、工廠程設計圖
根據起訴書,由崔珍奭成立、總部位於新加坡的顧問公司碁諾半導體(Jin Semiconductor)於2018年8月與鴻海簽約,並在數月內挖走「大批」三星電子及其子公司員工,並從兩名三星的承包商非法獲取與建設晶片廠有關的機密資料。
起訴書指控崔珍奭從三星電子的承包商Samoo Architects & Engineers竊取與興建晶片廠有關的機密資訊,包括半導體無塵室的管理技術。檢察官亦指控崔珍奭從另一承包商HanmiGlobal非法獲取了三星中國工廠的設計圖,但檢察官尚未確定崔珍奭等人是如何獲得樓層佈局的資料。
崔珍奭的代表律師否認所有指控,該律師稱,「控方所指的被竊取的資料,根本與設計或製造晶片無關。例如,如何建造無塵室已有一套公開的國際工程標準,這技術不只是三星擁有。」律師又稱,「工廠藍圖?從Google地圖拍一張相照片,專家一看就能知道建築物內部構造。」他同時展示了三星中國西安工廠的衛星照片。
西安工廠從未興建
崔珍奭的律師還說,擬建的西安工廠從未開始建造,因鴻海在1年後就取消此計畫,而他的當事人也只獲得與此計畫有關的基本薪資。該名律師以敏感為由,拒絕交代鴻海與崔珍奭解除合約的原因。
起訴書透露,西安工廠計劃每月生產10萬片晶圓,採用20納米的隨機存取記憶體(DRAM)記憶晶片技術,該技術被南韓當局視為「國家核心技術」,在沒有得到許可下,禁止向海外轉讓。
另外,檢察官發現鴻海同意提供8萬億韓圜(約481億港元)來建設工廠,鴻海還每月向碁諾半導體支付數百萬美元。
未有拘捕鴻海員工
《路透》指,現年65歲的崔珍奭曾被視為南韓半導體業之星。他在三星電子工作17年,負責開發DRAM的記憶晶片及晶圓製造科技。崔珍奭也曾多次贏得三星內部的DRAM開發獎項肯定。
他於2001年離開三星電子,之後在SK海力士(SK Hynix)工作8年,擔任製造和研究部門的技術總監,協助SK海力士扭虧為盈,之後升至副社長一職。
是次案件未有拘捕鴻海相關員工,鴻海發聲明表示,「我們遵守經營所在司法管轄區的法律和法規」。