《南華早報》報道，受美國制裁的中國半導體製造商長江存儲（YMTC），正進行代號「武當山」的機密計劃。據指，長江存儲將使用國內設備生產先進快閃記憶體晶片。
長江存儲去年有望以其旗艦232層X3-9070 3D NAND快閃晶片，挑戰記憶晶片龍頭的南韓三星電子、SK海力士，以及美國美光科技。不過，由於美國對華實施科技出口管制，美國設備商須遵守規定，停止對長江存儲提供服務及商口，嚴重打擊長江存儲生產該款晶片的能力。美國商務部於2022年12月將長江存儲列入制裁實體清單。
因此，長江存儲正加緊與中國供應商合作，包括中國蝕刻工具大廠「北方華創」，將龐大的訂單交予他們，目標是使用國產設備生產以Xtacking 3.0架構為基礎的晶片；而有關計劃名為「武當山」。
報道引述消息透露，「武當山」計劃之所以能夠推行，主要是得國家支持的投資者給予70億美元資金作採購用途，這些資金來源包括俗稱「大基金」的中國國家集成電路產業投資基金（National Integrated Circuit Industry Investment Fund）。
資料來源：SCMP
Text by FORTUNE INSIGHT
