南韓晶片巨頭SK海力士(SK Hynix)表示,全球率先研製出第六代10納米級同步動態隨機存取記憶體(DRAM)。
SK海力士稱,採用第六代10納米級DRAM技術(1c工藝),成功研製16Gb第六代低功耗雙倍數據速率(LPDDR6)DRAM,將爭取上半年內完成量產準備工作,並從下半年起開始供貨。
南韓晶片巨頭SK海力士(SK Hynix)表示,全球率先研製出第六代10納米級同步動態隨機存取記憶體(DRAM)。
SK海力士稱,採用第六代10納米級DRAM技術(1c工藝),成功研製16Gb第六代低功耗雙倍數據速率(LPDDR6)DRAM,將爭取上半年內完成量產準備工作,並從下半年起開始供貨。
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