韓聯社報導，南韓三星電子一名高層，涉嫌盜取該公司機密，企圖在中國設立「山寨版」三星電子半導體工廠，遭南韓檢方拘捕起訴。
南韓水原地方檢察廳表示，以違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》罪名，拘捕一名65歲男子，並以涉嫌違反《不正當競爭防止法》等起訴六人，包括被捕男子在華設立的公司所屬五名職員、以及涉嫌洩露設計圖的三星合作公司的一名職員。
報導指，被捕男子除了是前三星電子常務外，更曾任SK海力士副社長，在南韓半導體製造領域具有權威地位。案情指，他涉嫌從2018年8月至2019年期間不當獲取並使用三星多項商業機密，包括半導體工廠基本工程數據（Basic Engineering Data）、工藝流程圖、設計圖等資訊。涉案技術為用於製造30納米以下動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶體晶片（NAND）的製程工藝，均屬南韓當局認定的國家關鍵技術。調查又發現，被捕男子在中國興建的山寨版三星晶片廠，僅距離三星電子西安半導體工廠1.5公里。
調查顯示，由於台灣一間電子產品製造商曾承諾的8萬億韓元投資落空，工廠建設項目本來無法成事。但據悉，被捕男子曾在成都獲得4,600億韓元投資建廠，其中研發大樓去年已完工，並採用三星的半導體技術生產出樣版。他在華設廠後從三星及SK海力士僱用了200名員工，並指示他們獲取並利用三星的機密資料。
檢方推算，被捕男子洩露技術，為三星電子至少造成3,000億韓元損失。